报告人:王中长 教授 北京航空航天大学

报告时间:2024年10月9日 周三 下午15:00-17:00

地点:三一大楼409

报告摘要:

III-VI族半导体作为诸多应用的潜在候选材料目前被广泛研究。在几种III-VI族半导体中，In-Se系统具有多种相和优异的光学性能，是一种有趣的材料。In2Se3至少有五种不同的相 (a，β，y，δ和k)，其中α和β相可以以a(3R) 和a(2H)晶体结构结晶，而γ相具有缺陷的纤锌矿结构。据报道，k相拥有更类似于a相的结构，具有更大的晶胞。另一方面， InSe也具有几种不同的相，这些相具有重要的潜在器件应用。

因此，我们研究了生长温度、气流量和衬底类型(GaAs(100)、GaAs(111)和云母)等因素如何影响In2Se3的生长，并找到了获取相控制In2Se3的最佳参数。我们发现富Se和高温有利于β相In2Se3的生长，而在富In条件和低温下在GaAs(100)衬底上获得y相。在相同的参数范围内，γ相在GaAs(111)衬底上占主导地位。另一方面，我们还报道了通过直接热处理在高温下形成的二维InSe和GaSe层状材料的稳定自由立式一维原子链。我们通过原位像差校正透射电子显微镜(AC-TEM)证明了单硒化物层状材料经历了从2D锯齿结构边缘到1D原子链的转变。TEM快照显示了自由立式一维链的原子尺度形成机制和(001)边缘的重建过程。这种链状结构的电子结构和量子电子输运与量子器件的功能性质相关联，并通过第一性原理计算进行了研究。

报告人简介:

王中长，北京航空航天大学教授，国家级领军人才、欧洲科学院院士。2008获东京大学博士学位。2008至2017年，任日本东北大学助手、助理教授，副教授。2016年，英国伦敦大学学院访问教授。2017年，任欧洲国际伊比利亚纳米技术实验室课题组长。从事新型低维、纳米及能源材料的原子层面制备、表征、性能及第一性原理计算，在新材料及功能缺陷的基础原子电子结构与其物理化学性能直接关联方面进行了深入研究，开发新型超薄功能器件。负责20多项包括国家自然科学基金委、欧洲研究经费、日本国文部省科学研究费等项目。在国际著名学术期刊Nature, Nature Nanotech.,Nature Commun.等杂志上发表SCI检索论文300余篇。参与两部英文专著撰写。在50多个主要的国际会议上做邀请或专题报告。获日本材料学会材料研究促进奖，国际材料联合会年轻科学家奖，NEC最高科学技术奖，国际先进材料学会科学家奖章、先进材料奖等。