该设备可对材料的晶体结构、组织形貌进行常规的TEM分析外，主要用于高分辨电子显微学研究。研究的对象可以是周期性的晶体结构，也可以是准晶、非晶、位错、层错等晶体缺陷，以及晶界、相界、畴界、表面等界面。
主要技术指标：
加速电压200KV，超高分辨极靴，样品倾斜角度，X方向±25°，Y方向±25°。
点分辨率为0.19nm，晶格分辨率为0.1nm，电子枪亮度≥4×108A/（cm2.sr）；
TEM模式下，束斑尺寸为2nm，放大倍数2,000X～1,500,000X；
STEM模式下，晶格图像的分辨率为0.2nm，最高倍数15000万倍。
主要测试和研究领域：
金属、半导体、化合物、超导体、陶瓷和矿物等材料的研究。
主要附件及功能：
应用STEM、EDS附件功能可以进行元素分布的点、线、面的定性分析、拍摄Z衬度像。
